Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET) : Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg zum Projekt 01DN16023 / Autor: Dadgar, Armin ; durchführende Institution: Fakultät für Naturwissenschaften, Institut Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
| cbs.date.changed | 2022-03-15 | |
| cbs.date.creation | 2020-03-26 | |
| cbs.picatype | Oa | |
| cbs.publication.displayform | [Magdeburg] : [Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg], 29.12.2019 | |
| dc.contributor.author | Dadgar, Armin | |
| dc.contributor.other | Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-30T10:05:23Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.note | Förderkennzeichen BMBF 01DN16023 | |
| dc.description.note | Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden | |
| dc.description.note | Untersuchung und Entwicklung von robusten Gruppe-III-Nitrid basierten Bauelementen für die Leistungselektronik und Telekommunikationsanwendungen in Satelliten - Errichtung einer langfristigen Kooperation zwischen der OvGU und UNSAM/CNEA | |
| dc.description.note | Sprache der Zusammenfassung: Deutsch, Englisch | |
| dc.format.extent | 1 Online-Ressource (4 Seiten, 0,11 MB) : Illustration, Diagramme | |
| dc.genre | book | |
| dc.identifier.other | kxp: 1693326973 | |
| dc.identifier.ppn | 1693326973 | |
| dc.identifier.shelfmark | FbTIB | |
| dc.identifier.uri | https://epflicht.bibliothek.uni-halle.de/handle/123456789/8783 | |
| dc.identifier.urn | urn:nbn:de:gbv:3:2-122912 | |
| dc.identifier.vl-id | 3051527 | |
| dc.language.iso | ger | |
| dc.publisher | [Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg] | |
| dc.rights.uri | http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/ | |
| dc.subject.ddc | 621 | |
| dc.title | Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET) : Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg zum Projekt 01DN16023 / Autor: Dadgar, Armin ; durchführende Institution: Fakultät für Naturwissenschaften, Institut Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg | |
| dc.type | Book | |
| dspace.entity.type | Monograph | |
| local.accessrights.item | universitaet | |
| local.holding | Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt | |
| local.holding.displayform | Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, FbTIB | |
| local.openaccess | true |
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- Name:
- urn_nbn_de_gbv_3_2-122912.pdf
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- Adobe Portable Document Format
- Description:
- Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET)