Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET) : Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg zum Projekt 01DN16023 / Autor: Dadgar, Armin ; durchführende Institution: Fakultät für Naturwissenschaften, Institut Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
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Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET)
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1693326973
URN
urn:nbn:de:gbv:3:2-122912
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dc.contributor.contributor
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[Magdeburg] : [Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg], 29.12.2019
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1 Online-Ressource (4 Seiten, 0,11 MB) : Illustration, Diagramme
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ger
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Förderkennzeichen BMBF 01DN16023
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Untersuchung und Entwicklung von robusten Gruppe-III-Nitrid basierten Bauelementen für die Leistungselektronik und Telekommunikationsanwendungen in Satelliten - Errichtung einer langfristigen Kooperation zwischen der OvGU und UNSAM/CNEA
Sprache der Zusammenfassung: Deutsch, Englisch