Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET) : Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg zum Projekt 01DN16023 / Autor: Dadgar, Armin ; durchführende Institution: Fakultät für Naturwissenschaften, Institut Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Dadgar, ArminOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg2025-05-302019kxp: 1693326973https://epflicht.bibliothek.uni-halle.de/handle/123456789/87831693326973urn:nbn:de:gbv:3:2-1229123051527FbTIB1 Online-Ressource (4 Seiten, 0,11 MB) : Illustration, Diagrammegerhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/621Radiation hard Al(Ga,In)N based high power and high frequency transistors (RaiNFET) : Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg zum Projekt 01DN16023 / Autor: Dadgar, Armin ; durchführende Institution: Fakultät für Naturwissenschaften, Institut Physik, Otto-von-Guericke-Universität MagdeburgBook